米乐M6官网登录正版下载·三星最新NAND FlashDRAM量产日程曝光；

　　3、消息称苹果拟通过AI芯片彻底改造Mac产品线、芯盛智能发布企业级SSD SS2000SE

　　传三星本月量产290层NAND，年底前量产10nm第六代DRAM据外媒报道，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产 290 层V9 NAND 芯片，有消息称三星还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

　　DRAM方面，据韩媒报道，三星公布DRAM量产蓝图：2024年底前将量产10nm第六代DRAM，最大特点是以极紫外光（EUV）技术制造，2026年左右将量产10nm级第七代产品、2027年之后将量产10nm以下DRAM产品。并预计在2025年推出以垂直通道电晶体（VCT）技术制造3DDRAM初期版本，并于2030年推出将cell堆叠起来的「堆叠式DRAM」。

　　美光宣布，地区地震对单季的DRAM供应影响约5%左右(mid-single digit percentage)。美光在提交给美国证券交易委员会(SEC)的8-K重大事项公告中强调，这次地震并未对厂房、基础设施或设备造成永久性伤害，不会对DRAM供应造成长期影响。截至目前，震后的DRAM生产尚未完全恢复，但厂房复原进度良好。

　　据外媒报道，苹果正准备生产自研的具有增强AI功能的芯片M4，并通过此推动所有Mac机型的更新。

　　存储模组厂威刚3月合并营收39.75亿元（新台币，下同），年月双增，各成长56.59％及19.02％，创14年来单月次高。累计第一季合并营收达108.81亿元，较去年同期大增5成。

　　据华为官网消息，华为和EDMI宣布已根据公平、合理、无歧视（FRAND）原则签订了一项专利许可协议。